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    一、元件结构
    埋入式陶瓷远红外辐射元件,系采用具有高辐射率的釉层,热震性能良好的陶瓷作为基体,高质量的镍络合金丝一次烧结而成。
    二、产品主要技术参数和性能
    1、基体抗折强度为440kg/cm2;
    2、常温下元件电阻为1012欧母0cm;
    3、化学稳定性好,耐腐蚀性强;(抗氧化使用效果较好);
    4、使用中非辐射面热损失小;
    5、基体加热至800℃置入冷水反复数十次不开裂;
    6、辐射元件通电加热至额定功率,断电浸入冷水四十次无损失;
    7、辐射元件较大辐射率大于0.9;
    8、节能效果明显,比碳化硅元件可提高10-25%;
    9、使用寿命较之碳化元件延长数倍以上。

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